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NE3515S02-T1D-A Datenblatt

NE3515S02-T1D-A Datenblatt
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CEL
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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

12GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

88mA

Rauschzahl

0.3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

S02