NE3512S02-T1C-A Datenblatt
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NE3512S02-T1C-A, NE3512S02-A
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp HFET Frequenz 12GHz Gewinn 13.5dB Spannungstest 2V Nennstrom (Ampere) 70mA Rauschzahl 0.35dB Stromtest 10mA Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung 4V Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket S02 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp HFET Frequenz 12GHz Gewinn 13.5dB Spannungstest 2V Nennstrom (Ampere) 70mA Rauschzahl 0.35dB Stromtest 10mA Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung 4V Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket S02 |