NDTL03N150CG Datenblatt
NDTL03N150CG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NDTL03N150CG
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 140W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P(L) Paket / Fall TO-3PL |
