NCP81075MTTXG Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8.5V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 200V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8ns, 7ns Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-WDFN (4x4) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8.5V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 200V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8ns, 7ns Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN (4x4) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8.5V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 200V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8ns, 7ns Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
