NCD5703CDR2G Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT Spannung - Versorgung 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.75V, 4.3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 7.8A, 6.8A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 9.2ns, 7.9ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT Spannung - Versorgung 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.75V, 4.3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 7.8A, 6.8A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 9.2ns, 7.9ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT Spannung - Versorgung 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.75V, 4.3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 7.8A, 6.8A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 9.2ns, 7.9ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
