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MURT10060R Datenblatt

MURT10060R Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 4 Teilenummern: MURT10060R, MURT10060, MURT10040R, MURT10040
MURT10060R Datenblatt Seite 1
MURT10060R Datenblatt Seite 2
MURT10060R Datenblatt Seite 3
MURT10060R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower

MURT10060

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower

MURT10040R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 50A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower

MURT10040

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 50A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower