MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR Datenblatt
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Micron Technology Inc.
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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat PSRAM Technologie PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-VFBGA Lieferantengerätepaket 54-VFBGA (6x8) |
