MT41J256M16LY-091G:N TR Datenblatt
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (7.5x13.5) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (7.5x13.5) |