MT41J256M16HA-093 J:E Datenblatt
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Micron Technology Inc.
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MT41J256M16HA-093 J:E
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1066MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (8x14) |
