MT40A4G4NRE-083E C:B Datenblatt
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Micron Technology Inc.
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MT40A4G4NRE-083E C:B
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR4 Speichergröße 16Gb (4G x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 78-TFBGA Lieferantengerätepaket 78-FBGA (8x12) |