MRFG35002N6AT1 Datenblatt
MRFG35002N6AT1 Datenblatt
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NXP
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MRFG35002N6AT1
NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp pHEMT FET Frequenz 3.55GHz Gewinn 10dB Spannungstest 6V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 65mA Leistung - Leistung 158mW Spannung - Nennspannung 8V Paket / Fall PLD-1.5 Lieferantengerätepaket PLD-1.5 |