MRF6VP11KGSR5 Datenblatt
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NXP
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 130MHz Gewinn 26dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 1000W Spannung - Nennspannung 110V Paket / Fall NI-1230S-4 GW Lieferantengerätepaket NI-1230S-4 GULL |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 130MHz Gewinn 26dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 1000W Spannung - Nennspannung 110V Paket / Fall NI-1230 Lieferantengerätepaket NI-1230 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 130MHz Gewinn 26dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 1000W Spannung - Nennspannung 110V Paket / Fall NI-1230S-4 GW Lieferantengerätepaket NI-1230S-4 GULL |
