MPSH10 Datenblatt
MPSH10 Datenblatt
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Central Semiconductor Corp
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MPSH10
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
