MOCD211R1VM Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 2 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 7.5µs, 5.7µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 3.2µs, 4.7µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 2 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 7.5µs, 5.7µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 3.2µs, 4.7µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
