MMRF1316NR1 Datenblatt
MMRF1316NR1 Datenblatt
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NXP
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MMRF1316NR1
NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 230MHz Gewinn 27dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 100mA Leistung - Leistung 300W Spannung - Nennspannung 133V Paket / Fall TO-270-4 Lieferantengerätepaket TO-270 WB-4 |