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MMBV809LT3G Datenblatt

MMBV809LT3G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: MMBV809LT3G, MMBV809LT1G, MMBV809LT1
MMBV809LT3G Datenblatt Seite 1
MMBV809LT3G Datenblatt Seite 2
MMBV809LT3G Datenblatt Seite 3
MMBV809LT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Kapazität @ Vr, F.

6.1pF @ 2V, 1MHz

Kapazitätsverhältnis

2.6

Kapazitätsverhältnisbedingung

C2/C8

Spannung - Peak Reverse (Max)

20V

Diodentyp

Single

Q @ Vr, F.

75 @ 3V, 500MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

MMBV809LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Kapazität @ Vr, F.

6.1pF @ 2V, 1MHz

Kapazitätsverhältnis

2.6

Kapazitätsverhältnisbedingung

C2/C8

Spannung - Peak Reverse (Max)

20V

Diodentyp

Single

Q @ Vr, F.

75 @ 3V, 500MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

MMBV809LT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Kapazität @ Vr, F.

6.1pF @ 2V, 1MHz

Kapazitätsverhältnis

2.6

Kapazitätsverhältnisbedingung

C2/C8

Spannung - Peak Reverse (Max)

20V

Diodentyp

Single

Q @ Vr, F.

75 @ 3V, 500MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)