MJE243G Datenblatt
![MJE243G Datenblatt Seite 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/mje243g-0001.webp)
![MJE243G Datenblatt Seite 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/mje243g-0002.webp)
![MJE243G Datenblatt Seite 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/mje243g-0003.webp)
![MJE243G Datenblatt Seite 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/mje243g-0004.webp)
![MJE243G Datenblatt Seite 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/mje243g-0005.webp)
![MJE243G Datenblatt Seite 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/mje243g-0006.webp)
![MJE243G Datenblatt Seite 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/mje243g-0007.webp)
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 200mA, 1V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang 40MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-225AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 200mA, 1V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang 40MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-225AA |