MJE18006G Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 6 @ 3A, 1V Leistung - max 100W Frequenz - Übergang 14MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 6 @ 3A, 1V Leistung - max 100W Frequenz - Übergang 14MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
