MJE15028 Datenblatt
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
