MJ11030G Datenblatt
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V Leistung - max 300W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AE Lieferantengerätepaket TO-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V Leistung - max 300W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AE Lieferantengerätepaket TO-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V Leistung - max 300W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AE Lieferantengerätepaket TO-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V Leistung - max 300W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AE Lieferantengerätepaket TO-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V Leistung - max 300W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AE Lieferantengerätepaket TO-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V Leistung - max 300W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AE Lieferantengerätepaket TO-3 |