MCMN2012-TP Datenblatt
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Micro Commercial Co
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MCMN2012-TP
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 4V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DFN2020-6J Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad |
