MBR2X120A080 Datenblatt
MBR2X120A080 Datenblatt
Total Pages: 3
Größe: 647,13 KB
GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
MBR2X120A080
|
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 120A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 120A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 80V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
