MBR200100CTS Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
MBR200100CTS
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 80V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C Montagetyp Screw Mount Paket / Fall SOT-227-4 Lieferantengerätepaket SOT-227 |
