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MBD770DWT1G Datenblatt

MBD770DWT1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: MBD770DWT1G, NSVMBD770DW1T1G
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MBD770DWT1G Datenblatt Seite 2
MBD770DWT1G Datenblatt Seite 3
MBD770DWT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky - 2 Independent

Spannung - Peak Reverse (Max)

70V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

1pF @ 20V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

380mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

NSVMBD770DW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

1pF @ 20V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C