MBC13900NT1 Datenblatt
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6.5V Frequenz - Übergang 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz Gewinn 15dB ~ 22dB Leistung - max 188mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6.5V Frequenz - Übergang 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz Gewinn 15dB ~ 22dB Leistung - max 188mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
