MB85R8M2TPBS-M-JAE1 Datenblatt
MB85R8M2TPBS-M-JAE1 Datenblatt
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Fujitsu Electronics
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MB85R8M2TPBS-M-JAE1
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Hersteller Fujitsu Electronics America, Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FRAM Technologie FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 150ns Zugriffszeit 150ns Spannung - Versorgung 1.8V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-VFBGA Lieferantengerätepaket 48-FBGA (8x6) |
