M48Z2M1Y-70PL1 Datenblatt
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 36-DIP Module Lieferantengerätepaket 36-PLDIP Module |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 85ns Zugriffszeit 85ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 36-DIP Module Lieferantengerätepaket 36-PLDIP Module |
