LSIC1MO170E1000 Datenblatt
LSIC1MO170E1000 Datenblatt
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Littelfuse
Website: http://www.littelfuse.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
LSIC1MO170E1000
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Hersteller Littelfuse Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 20V Vgs (Max) +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 1000V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 54W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3L Paket / Fall TO-247-3 |
