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LA6581T-TE-L-E Datenblatt

LA6581T-TE-L-E Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: LA6581T-TE-L-E, LA6581T-TE-L-H
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LA6581T-TE-L-E Datenblatt Seite 4
LA6581T-TE-L-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Ausgabekonfiguration

Half Bridge (2)

Anwendungen

DC Motors, General Purpose

Schnittstelle

Logic

Lasttyp

Inductive

Technologie

Bipolar

Rds On (Typ)

-

Strom - Ausgang / Kanal

300mA

Strom - Spitzenleistung

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 16V

Spannung - Last

2.5V ~ 16V

Betriebstemperatur

-20°C ~ 90°C (TA)

Funktionen

-

Fehlerschutz

Over Temperature

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

LA6581T-TE-L-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Ausgabekonfiguration

Half Bridge (2)

Anwendungen

DC Motors, General Purpose

Schnittstelle

Logic

Lasttyp

Inductive

Technologie

Bipolar

Rds On (Typ)

-

Strom - Ausgang / Kanal

300mA

Strom - Spitzenleistung

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 16V

Spannung - Last

2.5V ~ 16V

Betriebstemperatur

-20°C ~ 90°C (TA)

Funktionen

-

Fehlerschutz

Over Temperature

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP