KSP45BU Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
