KSD362RTU Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 5A, 5V Leistung - max 40W Frequenz - Übergang 10MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V Leistung - max 40W Frequenz - Übergang 10MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 5A, 5V Leistung - max 40W Frequenz - Übergang 10MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
