KSB810YTA Datenblatt
KSB810YTA Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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KSB810YTA
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 70mA, 700mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 1V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 160MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |