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KBJ2510G Datenblatt

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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: KBJ2510G, KBJ2508G, KBJ2506G
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KBJ2510G Datenblatt Seite 3
KBJ2510G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBJ

Lieferantengerätepaket

KBJ

KBJ2508G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBJ

Lieferantengerätepaket

KBJ

KBJ2506G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBJ

Lieferantengerätepaket

KBJ