KA317MTU Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Ausgabekonfiguration Positive Ausgabetyp Adjustable Anzahl der Regulierungsbehörden 1 Spannung - Eingang (max.) 40V Spannung - Ausgang (min / fest) 1.2V Spannung - Ausgang (max.) 37V Spannungsabfall (max.) - Strom - Ausgang 500mA Strom - Ruhe (Iq) - Stromversorgung (max.) - PSRR 80dB ~ 65dB (120Hz) Steuerfunktionen - Schutzfunktionen Over Temperature, Short Circuit Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Ausgabekonfiguration Positive Ausgabetyp Adjustable Anzahl der Regulierungsbehörden 1 Spannung - Eingang (max.) 40V Spannung - Ausgang (min / fest) 1.2V Spannung - Ausgang (max.) 37V Spannungsabfall (max.) - Strom - Ausgang 500mA Strom - Ruhe (Iq) - Stromversorgung (max.) - PSRR 80dB ~ 65dB (120Hz) Steuerfunktionen - Schutzfunktionen Over Temperature, Short Circuit Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Ausgabekonfiguration Positive Ausgabetyp Fixed Anzahl der Regulierungsbehörden 1 Spannung - Eingang (max.) 35V Spannung - Ausgang (min / fest) 10V Spannung - Ausgang (max.) - Spannungsabfall (max.) - Strom - Ausgang 1A Strom - Ruhe (Iq) - Stromversorgung (max.) - PSRR - Steuerfunktionen - Schutzfunktionen Over Temperature, Short Circuit Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Ausgabekonfiguration Positive Ausgabetyp Fixed Anzahl der Regulierungsbehörden 1 Spannung - Eingang (max.) 35V Spannung - Ausgang (min / fest) 10V Spannung - Ausgang (max.) - Spannungsabfall (max.) - Strom - Ausgang 1A Strom - Ruhe (Iq) - Stromversorgung (max.) - PSRR - Steuerfunktionen - Schutzfunktionen Over Temperature, Short Circuit Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Ausgabekonfiguration Positive Ausgabetyp Fixed Anzahl der Regulierungsbehörden 1 Spannung - Eingang (max.) 35V Spannung - Ausgang (min / fest) 10V Spannung - Ausgang (max.) - Spannungsabfall (max.) - Strom - Ausgang 1A Strom - Ruhe (Iq) - Stromversorgung (max.) - PSRR - Steuerfunktionen - Schutzfunktionen Over Temperature, Short Circuit Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Ausgabekonfiguration Positive Ausgabetyp Fixed Anzahl der Regulierungsbehörden 1 Spannung - Eingang (max.) 35V Spannung - Ausgang (min / fest) 10V Spannung - Ausgang (max.) - Spannungsabfall (max.) 2V @ 1A (Typ) Strom - Ausgang 1A Strom - Ruhe (Iq) 8mA Stromversorgung (max.) - PSRR 71dB (120Hz) Steuerfunktionen - Schutzfunktionen Over Temperature, Short Circuit Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 330V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 330V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 72W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 800mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 7 @ 2.5A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 4MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 3A, 1V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
