J112 Datenblatt
J112 Datenblatt
Total Pages: 3
Größe: 318,11 KB
Central Semiconductor Corp
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
J112
|
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 35V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 50 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
