IXTZ550N055T2 Datenblatt
IXTZ550N055T2 Datenblatt
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IXYS
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IXTZ550N055T2
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Hersteller IXYS Serie FRFET®, SupreMOS® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 550A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 595nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 600W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DE475 Paket / Fall DE475 |
