IXTV03N400S Datenblatt
IXTV03N400S Datenblatt
Total Pages: 4
Größe: 187,41 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXTV03N400S
IXYS Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 4000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 290Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 130W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PLUS-220SMD Paket / Fall PLUS-220SMD |