IXTN32P60P Datenblatt
IXTN32P60P Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXTN32P60P
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Hersteller IXYS Serie PolarP™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 196nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11100pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 890W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
