IXTL2X180N10T Datenblatt
IXTL2X180N10T Datenblatt
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IXYS
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IXTL2X180N10T
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Hersteller IXYS Serie Trench™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 25V Leistung - max 150W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™ |
