IXTK160N20 Datenblatt
IXTK160N20 Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 565,04 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXTK160N20
|
Hersteller IXYS Serie MegaMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 415nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 730W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-264 (IXTK) Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
