IXTH2N150L Datenblatt
IXTH2N150L Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 109,89 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXTH2N150L
|
Hersteller IXYS Serie Linear L2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 1A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 8.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 290W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
