IXTF1N400 Datenblatt
IXTF1N400 Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXTF1N400
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 4000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2530pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 160W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) |
