IXTB62N50L Datenblatt
IXTB62N50L Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXTB62N50L
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 62A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 31A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 550nC @ 20V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PLUS264™ Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
