IXTA270N04T4-7 Datenblatt
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Hersteller IXYS Serie TrenchT4™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 270A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 182nC @ 10V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9140pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 375W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263-7 Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Hersteller IXYS Serie TrenchT4™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 270A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 182nC @ 10V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9140pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 375W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263AA Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
