IXKN40N60C Datenblatt
IXKN40N60C Datenblatt
Total Pages: 2
Größe: 50,16 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXKN40N60C
|
Hersteller IXYS Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) 290W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
