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IXGT32N170A Datenblatt

IXGT32N170A Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: IXGT32N170A, IXGH32N170A
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IXGT32N170A Datenblatt Seite 5

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 21A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/260ns

Testbedingung

850V, 32A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 21A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/260ns

Testbedingung

850V, 32A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)