IXFR40N90P Datenblatt
IXFR40N90P Datenblatt
Total Pages: 4
Größe: 143,5 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXFR40N90P
|
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ Paket / Fall ISOPLUS247™ |
