IXFN50N120SIC Datenblatt
IXFN50N120SIC Datenblatt
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IXYS
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IXFN50N120SIC
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 20V Vgs (Max) +20V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
