IXFN27N80Q Datenblatt
IXFN27N80Q Datenblatt
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IXYS
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IXFN27N80Q
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 520W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
