IXFN170N30P Datenblatt
IXFN170N30P Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 113,98 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXFN170N30P
|
Hersteller IXYS Serie Polar™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 138A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 890W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
